[情報] VLSI WEEK 25周年 後CMOS時代為議題主軸

走過1/4世紀的VLSI WEEK於4月21日在新竹國賓飯店開幕，由工業技術研究院及國際電機電子工程師學會共同主辦，一連舉行5天。VLSI是國際上引領全球、最先進的半導體及系統晶片國際學術會議之一，大會針對產業發展趨勢，今年特別安排「高壓電子元件」及「後CMOS時代」為議題主軸，邀請半導體大廠恩致浦（NXP）、飛思卡爾（Freescale）、意法半導體（ST）、東芝、Fairchild、IBM及台積電分享技術，期能與各國最新進展交流資訊外，也能為起步中的台灣車用電子產業找到新機會點切入主流市場。

負責籌備VLSI研討會的工研院電光所所長詹益仁表示，VLSI會議中所探討的主題技術通常是未來5～10年半導體及IC設計業注目的焦點，近年來以非揮發性記憶體的相變化記憶體(Phase Change Memory；PCM)深受矚目，PCM因具高容量、低耗電、高存取速度特性，被業界認為未來可取代NOR 、NAND。繼2007年Intel、飛思卡爾(Freescale)、意法半導體(ST)及三星等國際大廠在VLSI研討會分享PCM研發最新進展後，今年更邀請IBM Chung Lam博士從元件設計考量角度，談PCM成為主流記憶體所需具備的條件及最新研發成果。除此之外，工研院更在2006年與DRAM廠成立的PCM研發聯盟，已成功研發出4Mb的PCM產品，不論是在寫入電流上、耗電上、產品體積上與寫入速度上，與國際半導體大廠相較可說不遑多讓。工研院深切期盼透過與業界共同合作研發及導入VLSI研討會前瞻性議題，快速引領台灣半導體及IC設計產業與最新國際半導體技術接軌。

VLSI研討會首日由台積電董事長張忠謀的「21世紀晶圓廠的重大挑戰」開幕演講揭開序幕。他提到，代工廠如能與客戶從產品開發早期階段就展開設計和製程技術的合作，建立更深且廣的關係，將能持續在消費性電子時代中獲利。隨後歐洲汽車半導體零件供應商英飛凌(Infineon)資深副總Reinhard Ploss發表「談車用電子的挑戰與解決之道(Sloving Automotive challenges with Electronics)」專題演講，他認為生產力、品質與創新是汽車業未來發展指標，汽車業應運用半導體製程優勢來提昇汽車電子生產力及品質，並加強創新能力，進而創造新價值鏈。韓國三星院士Kinnam Kim主講新世代記憶體的挑戰與機會(Future memory technology challenges and opportunities)中，談到記憶體技術微縮至40～30奈米時，面臨的關鍵技術及解決之道，也從市場與應用角度分析技術微縮所帶來經濟效益。美國柏克萊大學教授Clark Nguyen在微機電製程之射頻系統前端用品(Intergrated Micromechanical Radio Front-Ends)專題演講中提到，無線通訊前端整合使用的MEMS技術及特性。

正式邁入第二年的ERSO Award也在VLSI開幕典禮上頒給日月光半導體董事長張虔生、宏達電董事卓火土及奇景光電董事長吳炳昇三位產業界人士，肯定他們為國內半導體封測試產業、行動通訊系統設計及平面顯示器產業開創新局的傑出表現。ERSO Award在2006年成立，為表揚推動半導體及IC產業發展有傑出貢獻人員而設，2006年由台積電曾繁城副董事長、漢民科技董事長黃民奇和思源科技董事長呂茂田三人獲得首屆榮譽。



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