Intel將與Infineon成立合資企業開發高密度SIM卡

英特爾(Intel)與英飛凌(Infineon)計劃在明年下半年推出一款高密度SIM卡的樣品，2009年開始量產。在日前於法國巴黎舉行的Cartes展會上，這兩家公司並宣佈成立一家合資企業，進行該款SIM卡的開發。

根據合作協議，英飛凌的高密度(HD)安全微控制器，將與英特爾的NOR快閃記憶體技術整合在一起，從4MB到64MB。而做為合資企業的一部份，英飛凌將開發一款以其現有的SLE88系列產品為基礎32位元安全微控制器，應用於新款HD SIM卡。

根據市場研究公司Frost & Sullivan最近發表的一份報告指出，如果2010年整體SIM卡市場規模，將從今年的25億張左右成長到38億張，則HD SIM卡將在其中佔6~8%的比例。Frost & Sullivan的分析師Ubhey表示：「高密度SIM卡可以採用NOR快閃記憶體與微控制器組合，為行動網路廠商採取新的商業模式和擴大用戶基礎創造了條件。」

英特爾快閃記憶體產品部門總經理Glen Hawk認為：「我們和英飛凌都相信，隨著行動網路廠商推出採用多媒體用戶介面、以及以這些廠商為品牌的應用導向服務(application-driven services)，HD SIM卡市場將有明顯成長。」

英飛凌晶片卡與安全IC部門總經理Helmut Gassell，則在Cartes展會上發表的一份聲明中表示：「以硬體為基礎的安全性和10MB以上的記憶體，是增強型電話簿、基於位置的服務以及其它基於智慧卡web伺服器技術之創新型應用的必備條件。英飛凌決定以適當的性能和安全性來滿足這些應用的需求。」

目前市面上的SIM卡可負擔網路安全性與基本的使用者功能，例如手機中的通訊錄。到2008年底，SIM卡的新USB介面將提供額外的資料密集手機應用、服務以及無線下載。而英特爾和英飛凌亦預計，NOR快閃記憶體將是高密度SIM卡的使用主要記憶體技術，因為小單元尺寸使其具有較低的價格，這將使高密度SIM解決方案被更多的用戶所接受。

(參考原文：Intel, Infineon team for HD SIM cards)