找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 7715
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

SAMSUNG T7 Shield 移動固態硬碟

[*]超快的移動固態硬碟，比傳統外接 HDD 快 9.5 倍 [*]堅固的儲存 ...

GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

卓越性能，超值選擇 GEX PRO 系列通過 80 PLUS 金牌認證，實現高達 ...

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

第一名 guanrung1110 https://www.xfastest.com/thread-293988-1- ...

極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[*]極致效能固態硬碟 [*]PCIe 4.0 速度大幅提升 [*]優化的電源效率 ...

打印 上一主題 下一主題

[記憶體 卡 碟] 三星定於今年6月前全力轉投第六代11nm 1c DRAM晶片開發

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2022-4-15 21:10:12 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
據Business Korea報導三星近期設立了一個新的目標，希望在今年6 月前完成採用11nm製程的第六代1c DRAM的開發。消息稱該公司已要求自家研發人員停下或跳過採用12nm製程的1b DRAM的開發，以期擴大並維持較競爭對手的技術領先優勢。
Samsung-14nm-DDR5-01.jpg

當然這不是我們首次看到三星作出類似的決定，此前這家韓國電子科技龍頭曾放棄28nm DRAM、並全面轉向25nm DRAM的生產。不過業內專家指出11nm DRAM 的生產並非易事。因其需要先進的技術作為支撐，而當前三星在1a DRAM（10nm等級的第4代記憶體產品）的量產上落後於兩大競爭對手。

在巨大的壓力之下，報導稱三星正希望找到一種方法來實現既定目標。

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-12-19 07:20 , Processed in 0.190859 second(s), 33 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表