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作者: bankerju
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Intel首款相變化記憶體準備量產

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1#
bankerju 發表於 2007-4-26 01:03:30 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
英特爾(Intel)準備推出128-Mbit相變化記憶體(phase-change memory)樣品,並計劃在今年下半年採用90奈米技術進行量產。這種稱為Alverstone的產品是英特爾的首款相變化記憶體產品,是與NOR相容的替代產品,目前該公司是僅次於Spansion的第二大NOR快閃記憶體製造商。

英特爾技術長Justin Rattner表示,該產品的寫入性能是目前NOR快閃記憶體的6倍,至少可寫入100萬次。作為替代DRAM和快閃記憶體的下一代記憶體產品,相變記憶體也有許多競爭對手,如FeRAM和MRAM。這種非揮發性記憶體技術是以硫屬化合物(chalcogenide)的導電性(electrically induced)相變化為基礎,非常難達到可靠的量產階段。

Rattner指出,英特爾的理想目標是讓128-Mbit相變化記憶體,成為NOR快閃記憶體的替代品。而該公司將持續最佳化相變化記憶體的量產製程。英特爾是去年夏天開始與意法半導體(ST)共同開發相變化記憶體,而儘管英特爾已經準備邁向量產,ST卻認為必須要升級至45奈米製程技術之後才能達成以上目標。

(參考原文:Intel to mass produce 128-Mbit phase-change memory)
2#
hicookie 發表於 2007-4-26 02:26:02 | 只看該作者
在雜誌看過報導…革命性的產品
3#
麥威 發表於 2007-4-26 04:46:11 | 只看該作者
上課的時候老師也有講到
還提了一些鐵芯半導體之類的東西
總之他對未來電腦發展空間最期待的就是記憶體這塊XD
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