可提升CPU記憶體容量三倍 IBM研發新技術

IBM正準備發表一種把微處理器記憶體容量提高三倍的方法，號稱可藉此技術將處理器的性能提高兩倍。透結合製程和電路設計技術，IBM認為，該方案可透過將於2008年上線的45nm製程技術，把合理尺寸之CPU上的高速DRAM容量最多提高到48Mbytes。

IBM即將推出的Power6 CPU採用8Mbytes SRAM高速緩衝記憶體，其競爭對手英特爾(Intel)的Itanium處理器採用了最多18Mbytes的記憶體。「處理器對高速緩衝記憶體的需求若渴，多核心處理器的需求量更大，因此對整合更多記憶體的需求變得日益迫切。」IBM負責45nm製程技術開發的總監和著名工程師Subramanian Iyer表示：「如果不採用這種技術，那麼一些伺服器晶片將無法實現。」

在二月份於美國舉行的國際固體電路年會(ISSC)上，IBM發表的論文介紹了採用65nm製程、反應時間僅為1.5ns、週期時間為2ns的嵌入式DRAM原型。其速度比目前的DRAM要快一個量級，並且可與微處理器高速緩衝記憶體中常用的SRAM媲美。

「為了把24~36MB的記憶體設計到晶片上，你需要採用目前的600平方毫米的晶片。採用這種技術，你可以把同樣多的記憶體設計到300~350平方毫米的晶片上，」Iyer表示。IBM預計在將來的Power和單元處理器上採用這種技術，並為ASIC客戶提供客製化服務。「我們將把它定義為標準45nm製程技術的一個組成部份，」Iyer補充。

IBM結合了兩種先進技術，因而使這種新的記憶體整合技術成為可能。該公司找到了一種把CMOS DRAM所採用的深通道技術，移植到絕緣體上覆矽(SOI)邏輯製程的方法。在去年12月的一篇論文中，IBM介紹了能夠抑制SOI中浮體效應的技術。「我們整個處理器發展路線圖都是設立在SOI的基礎之上的。」Iyer表示。

傳統的DRAM之所以速度較慢，是因為在位元線(bit line)和電容器之間採用了檢測電壓差的感測放大器，而新的電路設計採用了短的位元線。新設計所採用的3個三極管微感測放大器讓電壓電流直接驅動三極管的閘。

IBM在為高階藍色基因(Blue Gene)/L超級電腦特別設計的處理器中，採用了嵌入式DRAM技術，但迄今為止尚未在量產的電腦中採用該技術。「這絕對是主流應用，我們希望到2008年把它設計到產品之中。」Iyer總結。

英特爾和其它晶片製造商正研究利用浮體單元來儲存電荷，使之能夠替代傳統的嵌入式記憶體中所採用的電荷儲存技術。英特爾的主要競爭對手AMD與IBM攜手，共同開發這種可與英特爾抗衡的嵌入式DRAM製程技術。

(參考原文：IBM drives road to denser CPU memory)

Intel 要被猛烈夾攻了

眞期待這場戰役的結果
:)...

可惜的是IBM目前的CPU還打不到INTEL的主要市場

IBM真是利害
既然可以靠一大堆專利來賺錢
靠專利賺的錢應該比賣產品來的多(沒記錯的話)
這樣INTEL真危險
AMD與IBM聯手
INTEL要靠自己一個打兩個
就看看是哪一邊利害嚕!!!