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作者: Martin
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[業界新聞] 三星透露1.4nm製程細節 將增加奈米片數量

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Martin 發表於 2023-11-1 08:00:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
去年三星在「Samsung Foundry Forum 2022」上,公佈了未來的技術路線圖,其中SF1.4(1.4nm級)製程預計會在2027年量產,同時還會加速2.5D/3D異構集成封裝技術的開發,為代工服務提供整體系統解決方案。

根據DigiTimes報道,近日三星代工副總裁Jeong Gi-Tae在接受媒體採訪時透露,正在開發中的SF1.4製程技術會將奈米片的數量從3個增加到4個,有望顯著改善性能和功耗的表現。

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增加每個電晶體的奈米片數量可以增強驅動電流,提高性能。更多的奈米片允許更多的電流流過晶體管,增強其開關能力和操作速度。此外,更多的奈米片可以更好地控制電流,這有助於減少洩漏電流,從而降低功耗。此外,改進的電流控制也意味著電晶體產生更少的熱量,從而提高了功率效率。

三星在去年6月量產了SF3E(3nm GAA),引進全新的GAA(Gate-All-Around)架構電晶體技術。明年計劃帶來名為SF3(3GAP)的第二代3nm製程技術,將使用“第二代多橋-通道場效電晶體(MBCFET)”,在原有的SF3E基礎上做進一步的最佳化,之後還會有性能增強型的SF3P(3GAP+),更適合製造高性能晶片。到了2025年,三星將會開始大規模量產SF2(2nm)製程。

台積電計畫在2025年量產N2(2nm)工藝,而英特爾則爭取在2024年量產Intel 20A工藝,這兩款工藝都將引入GAA架構晶體管設計。

消息來源

2#
clouse 發表於 2023-11-1 23:52:44 | 只看該作者
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