三星透露1.4nm製程細節 將增加奈米片數量

去年三星在「Samsung Foundry Forum 2022」上，公佈了未來的技術路線圖，其中SF1.4（1.4nm級）製程預計會在2027年量產，同時還會加速2.5D/3D異構集成封裝技術的開發，為代工服務提供整體系統解決方案。

根據DigiTimes報道，近日三星代工副總裁Jeong Gi-Tae在接受媒體採訪時透露，正在開發中的SF1.4製程技術會將奈米片的數量從3個增加到4個，有望顯著改善性能和功耗的表現。

增加每個電晶體的奈米片數量可以增強驅動電流，提高性能。更多的奈米片允許更多的電流流過晶體管，增強其開關能力和操作速度。此外，更多的奈米片可以更好地控制電流，這有助於減少洩漏電流，從而降低功耗。此外，改進的電流控制也意味著電晶體產生更少的熱量，從而提高了功率效率。

三星在去年6月量產了SF3E（3nm GAA），引進全新的GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術。明年計劃帶來名為SF3（3GAP）的第二代3nm製程技術，將使用“第二代多橋-通道場效電晶體（MBCFET）”，在原有的SF3E基礎上做進一步的最佳化，之後還會有性能增強型的SF3P（3GAP+），更適合製造高性能晶片。到了2025年，三星將會開始大規模量產SF2（2nm）製程。

台積電計畫在2025年量產N2（2nm）工藝，而英特爾則爭取在2024年量產Intel 20A工藝，這兩款工藝都將引入GAA架構晶體管設計。

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