三星投資1cnm DRAM生產線， 目標2025年6月量產

先前有報導稱，SK海力士正在準備第六代10nm等級的1cnm製程的產品，打算在2024年第三季量產，將領先競爭對手三星。相較於現在的1βnm製程產品，1cnm製程在同樣採用EUV光刻技術的情況下，每片晶圓可生產更多數量的晶片，並實現更高的功率效率。

根據TrendForce報道，面對日益增長的市場需求和內存行業的持續復甦，三星將選擇在其平澤P4工廠建設第六代10nm級別的DRAM生產線，目標是在2025年6月開始量產。儘管暫時落後SK海力士，但三星決心趕上進度，為接下來的大規模生產做好準備。

三星的平澤P4工廠是一個綜合半導體生產中心，分為四個建造階段。原計劃第一期工程於2022年開始動工建設，並於今年開始營運。不過在完成了P4大樓和必要的基礎設施（例如水和電）之後，三星就沒有繼續建造生產線了。這是由於先前半導體市場低迷，三星只能選擇透過縮小規模的策略來減少損失。

隨著半導體市場在去年下半年開始復甦，三星開始轉向擴張和投資，計劃在P4設施中安裝NAND快閃生產設備，並對1cnm DRAM生產線進行投資。三星希望在2025年下半年，能使用這條生產線製造新一代HBM4晶片。畢竟HBM產品的生產消耗量大於一般DRAM，需要更高的產能應對。

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