找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: Martin
查看: 5756
回復: 0

文章標籤：

文章分享：

+ MORE精選文章：

相關帖子

+ MORE活動推薦：

GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

卓越性能，超值選擇 GEX PRO 系列通過 80 PLUS 金牌認證，實現高達 ...

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

第一名 guanrung1110 https://www.xfastest.com/thread-293988-1- ...

極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[*]極致效能固態硬碟 [*]PCIe 4.0 速度大幅提升 [*]優化的電源效率 ...

Micron Crucial PRO D5 6400超頻版 玩家開

解銷更快的遊戲速度！ 利用低延遲遊戲記憶體的強大功能 利用 Cruci ...

打印 上一主題 下一主題

[業界新聞] Samsung明年完成3nm GAA工藝開發性能大漲35％

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
Martin 發表於 2019-9-11 13:33:33 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
儘管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響Samsung的芯片，面板研發，生產，但是上週Samsung依然在日本舉行了“Samsung晶圓代工論壇”SFF會議，公佈了旗下新一代工藝的進展，其中3nm的工藝明年就完成開發了。

Samsung在10nm，7nm及5nm的節點的進度都會比台積電要晚一些，導致台積電幾乎包攬了目前的7nm的芯片訂單，Samsung只搶到IBM，NVIDIA及高通部分訂單。不過Samsung已經把目標放在了未來的3nm工藝上，預計2021年量產。

在3nm節點，Samsung將從的FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。

根據官方所說，基於全新的GAA晶體管結構，Samsung通過使用納米片設備製造出了MBCFET（多橋通道FET，多橋 - 通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的鰭式場效應晶體管製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。

在這次的日本SFF會議上，Samsung還公佈了3nm的工藝的具體指標，與現在的7nm的工藝相比，3nm的工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

在工藝進度上，Samsung今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm芯片，今年內完成4nm工藝開發，2020年完成3nm工藝開發。
500.jpg

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-11-23 10:22 , Processed in 0.129771 second(s), 68 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表