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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] 美光為NVIDIA高效能晶片推出採用12-High HBM3E和LPDDR5X的SOCAMM

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美光與NVIDIA合作為HGX B300 NVL16和GB300 NVL72等晶片提供高效能記憶體產品。
Micron-HBM3E-Memory-_2.png

美光、SK Hynix和三星等領先的記憶體製造商一直在為NVIDIA的Blackwell資料中心GPU等強大的晶片提供最強大的記憶體產品。隨著SK Hynix推出其HBM3E和 SOCAMM記憶體產品,美光也在GTC 2025活動上宣布推出採用12-High HBM3E和LPDDR5X的SOCAMM記憶體。

雖然SK Hynix先前一直是NVIDIA的HBM3記憶體晶片的主要供應商,但美光也與NVIDIA合作,為高效能晶片提供12-High HBM3E和SOCAMM記憶體。美光的 LPDDR5X SOCAMM(小外形壓縮附加記憶體模組)將用於NVIDIA的GB300 Grace Blackwell Ultra超級晶片,而其HBM3E 12H 36GB記憶體將用於HGX B300 NVL16和GB300 NVL72平台。
Micron-HBM3E-12H-36GB.jpg

這是NVIDIA在GTC活動上發布的最新、最強大的Blackwell晶片,但美光也為NVIDIA的HGX B200和GB200 NVL72平台提供HBM3E 8-High 24GB晶片。 12-High HBM3E記憶體有12個DRAM晶片垂直堆疊,記憶體容量比8-High版本高12GB。由於AI工作負載需要大量記憶體,36GB記憶體晶片將大幅增加NVIDIA GPU的記憶體容量。

與8-High HBM3E相比,12-H HBM3E記憶體的總記憶體容量增加了50%。這使得Blackwell Ultra GPU能夠運行更大的模型,並且Meta Llama 405B現在可以安裝在單一GPU上。新的HBM3E記憶體不僅擁有更高的記憶體容量和記憶體頻寬,而且功耗還將降低20%,非常適合資料中心。
Micron-SOCAMM.jpg

採用LPDDR5X的SOCAMM也是HPC的絕佳選擇。它的尺寸僅為14x90mm,佔用空間僅為RDIMM的近1/3,並且透過利用16個LPDDR5X記憶體晶片,每個模組可提供高達128GB的容量。 SOCAMM比常見RDIMM有更高的能源效率並且可提供超過2.5倍的頻寬。

目前美光擁有強大的產品組合,包括GDDR7記憶體(用於NVIDIA Blackwell RTX 50系列GPU)、高容量DDR5 RDIMM和MRDIMM、HBM3E和SOCAMM,以及美光9550 NVMe和7450 NVMe SSD等業界領先的儲存解決方案。三星也發表了其旗艦產品9100 PRO SSD,採用PCI-E 5.0標準,可提供高達14,800MB/s的連續讀取速度。

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