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作者: Amola
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[處理器 主機板] 三星量產業界第一款3D垂直NAND快閃記憶體,消費電子將受益

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Amola 發表於 2013-8-6 17:26:57 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
samsung-3d-vertical-nand[1].jpg

三星新近宣布他們突破了現有NAND快閃記憶體技術的規模限制,開始量產業界第一款3D垂直NAND(V-NAND)快閃記憶體。
隨著性能和面積比方面的提升,新的3D垂直NAND快閃記憶體將大範圍應用於消費電子和企業應用方面,包括嵌入式NAND存儲和SSD 固態硬碟。新的3D垂直NAND快閃記憶體可以在0單個芯片上實現128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell結構,該結構基於3D CTF(Charge Trap Flash)技術和垂直堆疊製程技術。得益於此,新產品可以提供超過兩倍於20納米平面NAND快閃記憶體的容量。
三星表示新技術令產品的可靠性為上一代的2至10倍,寫入速度可以達到原來的2倍,單個芯片可以包含24層堆疊cell單元。

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