在今年4月份,有英特爾和美光聯手打造的快閃記憶體廠商IMFT(Intel Micron Flash Technologies)正式宣布推出20nm製程的NAND快閃記憶體。其首款產品是64Gb MLC NAND快閃記憶體,芯片面積為118mm²,尺寸比同容量的25nm製程產品減少約三分之一但性能與壽命方面則基本保持一致。
日前,第二款由IMFT打造的20nm NAND快閃記憶體亦正式出爐了。該款產品容量為128Gb(即16GB),內部連接界面採用了最新的ONFi 3.0標準,傳輸帶寬達333MT/s,可有效提升快閃記憶體的持續讀取速度。另外新產品的Page Size也發生了變化,從現在常用的4KB提升到16KB。實際上,即使是早前的64Gb產品,其Page Size亦已經提升至8KB,不過內部連接界面使用的仍然是ONFi 2.x標準。IMFT表示,由於目前大多數固態硬碟的晶片僅支持Page Size為4KB的快閃記憶體,因此他們發布的兩款20nm製程快閃記憶體在短期內都不會出現應用在固態硬碟產品上。考慮到研發晶片和新韌體所需要的時間,他們預計採用20nm製程快閃記憶體的固態硬碟將會在2013年上市,屆時固態硬盤將真正邁入TB級時代。
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