克服種種困難，爾必達首次為DRAM製程引入HKMG技術

sxs112.tw · 發表於 2011-6-16 22:35:50

日前記憶體晶片廠商爾必達（Elpida）正式宣佈，他們將為40nm的DRAM製程引入高K金屬柵極（High-K Metal Gate，即HKMG）技術，用於開發2Gb的LPDDR2移動平臺記憶體顆粒。

高K金屬柵極技術最早出現在英特爾的45nm製程上，隨後被GlobalFoundries、台積電等廠商引入並應用在各自的產品上。不過由於高K金屬柵極形成後熱處理溫度高較高，加上DRAM記憶體晶片結構的限制，因此該技術一直無法引入至DRAM晶片的製程當中。在經過爾必達研究團隊的努力後，他們成功降低了高K金屬柵極的熱處理溫度，並克服了DRAM晶片結構限制的難題，最終成為業界首家將高K金屬柵極技術引入DRAM晶片的廠商。據爾必達表示，新技術的引入將令產品的性能有較大提升，同時待機功耗亦得以大幅下降。
消息來源:Expreview

author · 發表於 2011-6-16 23:18:37

感謝 s大辛苦分享 !

cfoot · 發表於 2011-6-16 23:53:28

感謝 s大辛苦分享了

X2

craftoscar · 發表於 2011-6-17 01:17:53

讚!!

不讓三爽牌一枝獨秀

率先導入H-K

a6231656 · 發表於 2011-6-17 02:05:04

感謝辛苦分享!!!

ernesto0911 · 發表於 2011-6-17 03:01:38

感謝分享

tvgs · 發表於 2011-6-17 07:32:36

這個不看不行

XEON888 · 發表於 2011-6-17 11:48:10

小心韓扯後腿!!!!!!!!!!!!

JochenPeiper · 發表於 2011-6-17 14:38:37

thanks sharing

x61055t · 發表於 2011-6-17 16:14:42

小心三爽來搶技術

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