Intel公佈其化合物半導體技術研究進展

英特爾(Intel)零組件研發總監Mike Mayberry，在該公司網站上公佈了有關化合物半導體(compound semiconductor)的最新研究進展；他在該篇文章中探討了有關鎵、砷、銦和銻化物對未來Intel晶片研發的關鍵所在。

Mayberry指出，Intel已針對下一個十年可望上市的化合物半導體展開了數個研究專案；此外他也指出，基於成本考量，不太可能採用傳統6吋製程生產砷化鎵(GaAs)晶圓，因此Intel傾向在12吋晶圓基板上製造化合物半導體元件。

Mayberry補充，採用此種生產方式亦可實現混搭(mix and match)策略──即部份功能元件仍採用矽晶片，而其他則可採用具備更高性能的化合物半導體材料。

Mayberry並列舉了目前Intel所面臨的挑戰，包括尋找一種合適的高介電材料(high-k dielectric)；採用性能相當的NMOS元件來生產化合物PMOS元件，以實現化合物CMOS；製造增強型(enhancement-mode)元件；以及採用與現有的尖端矽製程技術生產以上元件。

(參考原文：Intel blogs on compound semiconductors)