找回密碼註冊
作者: kaikai
查看: 1418
回復: 1

文章分享:

+ MORE精選文章:

+ MORE活動推薦:

NP5 玩家開箱體驗分享活動

[*]逆重力熱管設計 [*]卓越散熱解決方案 [*]精緻小巧,完整RAM空間 ...

ROG電能狂潮 電源供應器開箱體驗活動

ROG Thor III 1000W 白金牌 氮化鎵 GaN MOSFET / 智慧穩壓器 / A ...

Micron Crucial P310 1TB (Gen4 2280 M.2)

迎擊而上,跳脫限制。 讓效能強大的 Crucial P310 NVMe SSD 為您贏得 ...

FIT V DDR5 電競/超頻記憶體 玩家開箱體驗

FIT V DDR5 電競/超頻記憶體最 FIT 專業工作者的效能首選 [*]靈巧俐 ...

打印 上一主題 下一主題

[業界新聞] 三星與蘋果合作開發LPW DRAM, 預計2028年量產

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
近日有傳言稱,英偉達再次來到三星的封裝工廠,種種跡象表明,英偉達對三星HBM3E的最終品質測試程序已正式開始。同時,三星也瞄準了下一代行動DRAM市場,以滿足對裝置上人工智慧(AI)日益增長的需求。

Samsung_LPDDR5X_T.jpg


根據TrendForce通報,三星正與蘋果開發低功耗低功耗寬I/O(LPW)DRAM,預計2028年開始量產。除了蘋果外,三星在LPW DRAM專案上還有多個合作夥伴,也包括自己的行動體驗(MX)部門。傳聞LPW DRAM的I/O速度達到204.8 GB/s,而功耗僅1.87皮焦耳(pJ),比起LPDDR5X的效率高很多。

由於行動裝置逐漸在人工智慧方向上進行擴展,預計很快就會出現瓶頸,為此需要更高效能的行動DRAM。 LPW DRAM是與HBM類似的高頻寬記憶體,可以說是行動HBM。 LPW DRAM透過低功耗(LP)DDR顯著提高效能,不過與HBM不同的是,LPW DRAM不包含用於邏輯功能的基本晶片。此外,三星也領導了JEDEC固態儲存協會,嘗試對LPW DRAM進行標準化製定。

SK海力士也有類似的計劃,正在開發針對性的「Vertical Fan-Out(VFO)」技術,打造堆疊的LPDDR DRAM。雖然SK海力士和三星在堆疊方面採用的工藝方法較為相似,但是封裝上卻有差異,SK海力士是將銅柱連接起來,然後用環氧樹脂填充,而三星電子則相反。

來源
2#
clouse 發表於 前天 23:29 | 只看該作者
未上市都是放屁
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2025-3-19 09:27 , Processed in 0.114467 second(s), 32 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表