SK Hynix在NAND快閃記憶體領域取得技術優勢，挑戰三星主導地位

SK Hynix正在爭奪三星在NAND快閃記憶體市場的王座，據報導該公司現已在單元堆疊技術上取得了優勢。

對於那些不知道的人來說，SK Hynix在HBM市場上為三星帶來了一場激烈的戰鬥。雖然是一家規模相對小的公司，但SK Hynix在HBM領域獲得NVIDIA等AI龍頭的訂單時已經超越了三星。根據BusinessKorea報導SK Hynix在NAND技術優勢上超越了三星，該公司宣布成功開發出全球首款321層NAND，這標誌著該公司的一個巨大里程碑。

SK Hynix最新的321層NAND晶片可望為市場帶來顯著的性能提升，數據傳輸速度提高12%，讀取性能提高13%，電源效率提高10%以上，這無疑使快閃記憶體技術處於領先地位中。這家韓國龍頭透露憑藉其最新的NAND晶片，它的層數比之前的技術增加了35%，有趣的是在多年來這是一直由三星主導的領域，它已經超越了三星。

據透露此消息發布後，三星一直對SK Hynix在市場上的進展感到相當擔憂，因為該公司被稱為垂直堆疊的先驅，大量增加了層數。但由於SK Hynix有可能在這方面取得領先，三星在NAND領域的主導地位似乎可能會受到挑戰。技術優勢並不是這裡唯一重要的事情，我們將在未來討論原因。

如果三星電子讓SK Hynix在NAND快閃記憶體領域繼DRAM和HBM之後迎頭趕上，這將是三重打擊，對行業的象徵意義將是重大的。這一市佔率將迅速縮小。

- 來自BusinessKorea

雖然SK Hynix在NAND領域取得領先地位確實令人驚訝，但值得注意的是擁有高效的NAND生產線同樣重要，而且鑑於三星在該領域的聲譽，SK Hynix將很難在NAND領域取得領先地位。然而三星的低迷表現，加上未能吸引新客戶，為SK Hynix帶來了巨大的空白，而該公司已經做得相當充分了。

消息來源