格棋化合物半導體中壢新廠落成並宣布與中科院及三菱綜合材料商貿合作

格棋化合物半導體宣布中壢新廠落成，並宣布與中科院合作強化高頻通訊技術應用，同時也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議以擴大日本民生用品和車用市場的布局。



擁有專業碳化矽（SiC）長晶技術的領導廠商格棋化合物半導體公司（以下簡稱格棋），今日宣布中壢新廠落成並與國家中山科學研究院（以下簡稱中科院）合作將共同強化高頻通訊技術的應用。同時也和日本三菱綜合材料商貿株式會社（Mitsubishi Materials Trading Corporation）簽署合作協議，將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局。

格棋成立於2022年，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體技術開發，研發團隊在化合物半導體領域擁有豐富經驗。格棋中壢新廠總投資金額達新台幣6億元，預計2024年第四季達到滿產，其中6吋碳化矽晶片月產能可達5,000片。至2024年底，新廠將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，大幅提升產能。


格棋化合物半導體董事長張忠傑

格棋董事長張忠傑表示：「中壢新廠落成是格棋發展重要的里程碑。我們將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。」

因應全球ESG趨勢，格棋中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。


格棋化合物半導體董事長張忠傑(左)與中科院副院長簡定華(右)簽署合作協議

在新廠落成之際，格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，透過此次合作加速進軍高頻通訊碳化矽市場，為 5G/B5G 基礎建設提供關鍵元件。中科院院長李世強博士指出：「隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件逐漸取代傳統矽基高頻元件，期待與格棋的合作能為臺灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，強化國家在全球通訊產業鏈中的戰略地位。」


格棋化合物半導體董事長張忠傑(左)與三菱綜合材料商貿社長橋本良作(右)簽署合作協議

格棋今日並同時宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供 6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）磊晶片（EPI Wafer）材料，而格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠、晶圓與磊晶片。三菱綜合材料商貿社長橋本良作表示：「臺灣和日本在半導體產業皆具關鍵影響力，看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，相信與格棋的合作將為雙方帶來互利共贏的機會。」

格棋擁有獨特的碳化矽晶體成長技術，包括特殊的晶種結合方法、即時監控系統、塗層技術以及原料控制和熱處理技術，其核心技術可有效提升晶體品質，降低缺陷密度，為客戶提供高品質、高可靠性的碳化矽晶圓。

隨著中壢新廠的落成以及與不同領域夥伴的戰略合作，格棋化合物半導體正式邁入另一發展階段，未來將持續投資研發，提升製程技術，提供客戶高品質的碳化矽晶圓產品，強化台灣在全球第三代半導體產業中的領先地位。