(PR)Rambus展示業界首款DDR5 MRDIMM和RDIMM記憶體模組，速度高達12,800MT/s

Rambus展示了新的DDR5記憶體標準，以高達12,800MT/s的速度提供突破性效能。

[新聞稿]：Rambus是一家致力於讓資料更快、更安全的領先晶片和矽IP供應商，今天推出了業界首創的適用於Gen5 DDR5 RDIMM和下一代DDR5多列雙列直插記憶體模組( MRDIMM) 的完整記憶體介面晶片組。這些適用於RDIMM和MRDIMM的創新新產品將為運算密集型資料中心和AI工作負載無縫擴展DDR5效能，提供無與倫比的頻寬和記憶體容量。

新的 Rambus 晶片包括：

• Gen5寄存時脈驅動器 (RCD)使RDIMM能夠以每秒8000 MT/s 的速度運作。
• 多路復用暫存器時脈驅動器 (MRCD) 和多路復用資料緩衝器 (MDB)透過將DIMM的頻寬提高一倍（超出本機DRAM設備速度），使即將推出的MRDIMM能夠以高達12,800MT/s的速度運轉。
• 第二代伺服器電源管理 IC (PMIC5030)專為DDR5 RDIMM 8000和MRDIMM 12800設計，可在低電壓下提供超高電流，以支援更高的速度以及每個模組更多的 DRAM和邏輯晶片。
  

DDR5 RDIMM 8000和業界標準MRDIMM 12800採用有跨伺服器平台相容性的通用架構，支援靈活且可擴展的最終用戶伺服器配置。 DDR5 RDIMM 8000晶片組包括Gen5 RCD、PMIC5030、串列存在偵測 (SPD) 集線器和溫度感測器 (TS) 晶片。 DDR5 MRDIMM 12800晶片組包括MRCD和MDB，以及RDIMM 8000 中使用的相同PMIC5030、SPD Hub和TS晶片。

DDR5 MRDIMM 12800採用新穎高效的模組設計，透過重複使用兩列DRAM來提高資料傳輸速率和系統效能，有效地交錯兩個資料流。這使得主機記憶體匯流排能夠以本機DRAM裝置兩倍的資料速率運行，從而在使用DDR5 RDIMM相同實體連線的同時增加頻寬。

這需要能夠在交替時脈週期上尋址兩列DRAM的MRCD，以及能夠將資料流引導至正確的DRAM裝置或從正確的DRAM裝置引導資料流的MDB。每個DDR5 MRDIMM 12800需要一個MRCD和十個MDB晶片來重複使用記憶體通道。 MRCD和MDB還將支援有四列DDR5 DRAM的高MRDIMM外形規格，以經濟高效的方式將雙列RDIMM的容量翻倍。

Gen5 RCD、MRCD、MDB和PMIC5030是Rambus業界領先記憶體介面和電源管理解決方案不斷增長的產品組合的一部分，其中包括Gen1至Gen4 RCD、客戶端時脈驅動器(CKD)、伺服器PMIC、SPD Hub和TS晶片。

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