台積電(TSMC)在2nm製程上取得了重大突破,將首次導入Gate-all-around FETs(GAAFET)電晶體技術。此外N2製程也結合了NanoFlex技術,為晶片設計人員提供了前所未有的標準元件彈性。
相較於目前的N3E,N2製程預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是電晶體密度將提升15%,這標誌著台積電在半導體技術領域的另一個飛躍。
然而伴隨著技術的升級,成本也隨之攀升。據預測台積電每片300mm的2nm晶圓價格可能突破3萬美元大關,高於早先預估的2.5萬美元。相較之下目前3nm晶圓的價格區間約為1.85萬至2萬美元,而4/5nm晶圓則徘徊在1.5到1.6萬美元之間。顯然2nm晶圓的價格將顯著成長。
面對市場對2nm製程技術的強烈需求,台積電正不斷加大對此製程的投資力道。 2nm晶圓廠將在台灣的北部(新竹寶山)、中部(台中中科)和南部(高雄楠梓)三地佈局,以確保產能滿足市場需求。新製程的引進意味著更多的EUV光刻步驟,甚至可能採用雙重曝光技術,這無疑將進一步提升生產成本,使其高於3nm製程。
台積電已規劃N2製程於2025年下半年正式進入限量生產階段,預計客戶最快可在2026年前收到首批採用N2製程製造的晶片。而首個嚐鮮這先進製程的客戶,很可能是科技龍頭蘋果。
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