(PR)SK Hynix開始量產12層HBM3E記憶體：每模組容量36GB，速度9.6Gbps

SK Hynix宣布量產12層HBM3E記憶體，推動AI計算邁向下一個時代。

[新聞稿]：SK Hynix今天宣布已開始量產全球首款12層HBM3E產品，容量為36GB，是迄今為止現有HBM最大容量。該公司計劃年內向客戶提供量產產品，繼今年3月業界首次向客戶交付HBM3E 8層產品，六個月後再次證明其壓倒性的技術。

自2013年發布全球首款HBM以來，SK Hynix是全球唯一一家開發並供應從第一代 (HBM1) 到第五代 (HBM3E) 整個HBM系列的公司。生產12層HBM3E可滿足AI企業日益增長的需求。

據該公司稱12層HBM3E產品在AI記憶體所必需的所有領域（包括速度、容量和穩定性）均符合世界最高標準。 SK Hynix已將記憶體操作速度提高至9.6Gbps，這是當今可用的最高記憶體速度。如果Llama 3 70B大型語言模型（LLM）由配備四個HBM3E產品的單一GPU驅動，則可以在一秒鐘內讀取700億個總參數35次。

SK Hynix再次突破技術極限，展現了我們在AI記憶體領域的產業領先地位。我們將繼續保持全球第一人工智慧記憶體供應商的地位，並穩步準備下一代記憶體產品，以克服人工智慧時代的挑戰。

- Justin Kim，SK Hynix總裁（人工智慧基礎設施負責人）

SK Hynix透過堆疊12層3GB DRAM晶片，其厚度與先前的8層產品相同，容量增加了50%。為了實現這一目標，該公司使每個DRAM晶片比以前薄40%，並使用 TSV技術垂直堆疊。該公司還透過應用其核心技術先進的MR-MUF製程，解決了因將更薄的晶片堆疊得更高而產生的結構問題。

與上一代相比散熱性能提高10%，並透過增強的翹曲控制確保產品的穩定性和可靠性。

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