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作者: Gary71
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[業界新聞] 蘋果棄TLC讓iPhone改用QLC快閃記憶體 壽命、效能更低

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Gary71 發表於 2024-7-25 14:09:29 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
據外媒報導指稱,蘋果可能會於2026年的iPhone配置更大儲存容量:2TB。

產業鏈最新透露的情況是,蘋果正在加速推動QLC NAND換代,從而將內建儲存上限提高至2TB。

至於為何使用QLC?可能是與控制成本有關。

003.jpg

於此之前即有消息指稱,蘋果可能會改變儲存容量(iPhone 16上啟用),不再使用三層單元(TLC)NAND快閃記憶體,而是於儲存容量達到或超過1TB的機種上使用四層單元(QLC)NAND。

與TLC相比,QLC的優勢在於每個儲存單元可以儲存四個位元資料,於使用相同數量的單元時較TLC儲存更多的資料,或使用更少的單元儲存更多的資料,而此可以降低生產成本。

但相對的,QLC需要控制16種電壓狀態,TLC僅需控制8種電壓狀態,電壓狀態越多,越難控制。QLC提高儲存密度的代價,則是讀寫機制更為複雜與緩慢,於可靠性、壽命、效能等方面,先天上即存在侷限。

如果蘋果繼續執行前述計劃,一些版本的iPhone 16使用者可能會遇到資料寫入速度低於低容量使用者的情況。

訊息來源
2#
clouse 發表於 2024-7-26 05:58:18 | 只看該作者
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