ASML公佈下一代Hyper-NA極紫外光刻計劃

ASML是全球唯一一家極紫外線 (EUV) 微影系統供應商，該系統對製造最先進的晶片至關重要，該公司公佈了進一步推動半導體微縮化的路線圖。在最近的一次演講中ASML前總裁Martin van den Brink宣布了該公司計劃推出一種新的Hyper-NA EUV技術，該技術將取代剛開始部署的High-NA EUV系統。 Hyper-NA工具仍處於早期研究階段，可將數值孔徑從High-NA的0.55提高到0.75，從而使晶片的電晶體密度在2030年代初期超出High-NA的預計極限。這種更高的數值孔徑應該會減少對增加複雜性和成本的多重圖案技術的依賴。

Hyper-NA為商業化帶來了自身的挑戰。主要障礙包括光偏振效應會降低成像對比度，需要偏振濾光片來降低光通量。抗蝕劑材料可能還需要變得更薄以保持解析度。雖然台積電等領先的EUV晶片製造商可能可以使用現有0.33 NA EUV工具的多重圖案化來擴展更多製程的擴展，但Intel已採用0.55 High-NA來避免這些複雜性。但隨著High-NA的物理極限達到，Hyper-NA可能會在本十年晚些時候成為整個行業的重要組成部分。除了Hyper-NA之外，除了昂貴的多束電子光刻之外，幾乎不存在替代的圖案化解決方案，而多束電子光刻缺乏EUV光刻的吞吐量。為了繼續經典的縮放，該行業可能需要最終過渡到與矽相比有優異電子遷移率特性的新通道材料，需要新穎的沉積和蝕刻能力。

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