NVIDIA預計將於2025年第四季在台積電3nm製程上大量生產採用HBM4記憶體的下一代Rubin R100 GPU 。
新資訊來自TF International Securities分析師郭明錤,他表示NVIDIA已為其下一代Rubin R100 GPU奠定了基礎,該GPU以美國天文學家Vera Rubin的名字命名,Vera Rubin為理解暗物質做出了重大貢獻。
郭明錤表示NVIDIA Rubin R100 GPU將成為R系列產品陣容的一部分,預計將於2025年第四季量產,而DGX和HGX等系統解決方案預計將於2026年上半年量產。
預計NVIDIA 的 Rubin R100 GPU將採用4x十字線設計(Blackwell為3.3x),並在N3製程上採用台積電CoWoS-L封裝技術製造。台積電最近制定了到2026年生產高達5.5倍掩模版尺寸晶片的計劃,該晶片將採用100x100mm基板,並允許多達12個HBM位置,而當前80x80mm封裝上僅有8個HBM位置。
該半導體公司還計劃轉向新的SoIC設計,該設計將在120x120mm封裝配置中採用大於8倍的掩模版尺寸。這些仍在計劃中,因此我們可以更現實地期望Rubin GPU的標線尺寸在4倍之間。
提到的其他資訊表明NVIDIA將利用下一代HBM4 DRAM為其R100 GPU提供動力。該公司目前為其B100 GPU使用最快的HBM3E記憶體,預計當記憶體解決方案在2025年底大規模量產時,將使用HBM4更新這些晶片。
NVIDIA還計劃為GR200 Superchip模組升級其Grace CPU,該模組將容納兩個R100 GPU和一個採用台積電3nm製程的升級版Grace CPU。目前Grace CPU採用台積電5nm製程打造,封裝了72個核心,Grace Superchip解決方案上總共有144個核心。
NVIDIA新一代Rubin R100 GPU的最大關注點之一將是功效。該公司意識到其資料中心晶片不斷增長的電力需求,將在該部門進行重大改進,同時提高其晶片的人工智慧功能。 R100 GPU距離發布還很遙遠,我們不應該指望它們要到明年的GTC才會亮相,但如果這一訊息正確的話,那麼NVIDIA在人工智能和數據中心領域肯定會有許多令人興奮的發展。
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