三星 HBM4記憶體正在開發中，預計2025年首次亮相：採用16層堆疊和3D封裝

三星宣布開發下一代HBM4記憶體，該記憶體將於2025年首次亮相，並有一些宏偉的規格和功能。

在這家韓國半導體製造商的部落格文章中，三星再次重申其HBM4記憶體目前正在開發中，預計將於2025年首次亮相。該公司目前的HBM產品組合包括HBM3E Shinebolt作為頂級產品，有使用24Gb DRAM的高達36GB的容量和高達9.8Gbps的傳輸速度。此記憶體技術支援高達12 Hi的堆疊，並採用2.5D封裝。

三星HBM產品組合的下一次演進將以HBM 4的形式出現。從規格開始，三星的HBM4記憶體預計將包括16-Hi堆疊，如果我們使用相同的24Gb模組，我們可以以非常快的速度獲得高達256GB的HBM4容量。

在早期市場，硬體的多功能性很重要，但在未來隨著圍繞殺手級應用的服務的成熟，硬體基礎設施將不可避免地經歷一個針對每個服務進行最佳化的過程。三星電子計畫透過統一核心晶片以及多樣化封裝和基礎晶片（例如8H、12H和16H）來應對。

韓國三星

目前NVIDIA的Blackwell B100/B200和AMD的Instinct MI300 GPU提供高達192GB的HBM容量。前者採用較新的HBM3E標準，而後者則採用HBM3 DRAM 解。兩種GPU均有8個HBM，每個HBM都有12-Hi堆疊，因此如果您將它們升級到較新的16-Hi堆疊，則可以獲得高達256GB的容量。這甚至還沒有考慮HBM4中可用的更密集的DRAM模組 (24 Gb+)。

如果說解決電源牆的第一個創新是從下一代HBM4開始導入使用邏輯流程的基礎晶片開始的話，那麼第二個創新將在從目前的2.5D HBM逐漸演進到3D HBM時出現。隨著DRAM單元和邏輯的發展變得更加混合（如HBM-PIM），預計第三次創新將會出現。目前我們正在與客戶和合作夥伴討論實現這些創新，我們將積極規劃和準備打開市場。

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此外HBM4背後的另一項關鍵技術是3D封裝的利用。最近提到JEDEC放寬了對HBM4記憶體的要求，讓公司可以利用現有的鍵合技術。下一代3D封裝還可以克服與混合鍵合相關的一些定價問題。AMD預計將透過MI350和MI370系列更新其MI300系列，這些系列預計將增加容量，而一旦HBM4供應穩定，NVIDIA可能會更新其Blackwell GPU。

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