(PR)SK hynix HBM3e記憶體現已投入量產，將於本月稍後為NVIDIA AI GPU提供動力

SK hynix已正式開始量產HBM3E記憶體，並將於本月稍後發貨給NVIDIA等客戶。

SK hynix宣布開發DRAM近7個月後開始量產HBM3E記憶體。當時SK hynix確認NVIDIA和其他合作夥伴將利用其HBM3E DRAM為其下一代AI加速器提供動力。

新聞稿： SK hynix公司今天宣布其最新的超高性能AI記憶體產品HBM3E已開始量產，並於3月下旬向客戶供貨。七個月前該公司公佈了HBM3E開發的成功。SK hynix是HBM3E的第一家供應商，HBM3E是一款具有最佳效能的DRAM晶片的產品，延續了HBM3的早期成功。該公司預計HBM3E的成功量產，以及其作為業界首家HBM3供應商的經驗，將有助於鞏固其在人工智慧記憶體領域的領導地位。

為了建構一個能夠快速處理大量資料的成功的人工智慧系統，半導體封裝應該以大量人工智慧處理器和記憶體多重連接的方式組成。全球大型科技公司對AI半導體性能的要求越來越高，SK hynix預計HBM3E將成為他們滿足這種日益增長的期望的最佳選擇。

最新產品在AI記憶體所需的所有方面（包括速度和熱量控制）都是業界最好的。它每秒處理高達1.18TB的數據，相當於一秒鐘處理230多部FullHD電影（每部 5GB）。由於AI記憶體的運行速度極高，控制熱量是AI記憶體所需的另一個關鍵條件。SK hynix的HBM3E採用了先進的MR-MUF製程，散熱性能較上一代提升了10%。

SK hynix HBM業務負責人Sungsoo Ryu表示HBM3E的量產已經完善了該公司業界領先的AI記憶體產品陣容。憑藉HBM業務的成功故事以及多年來與客戶建立的牢固合作夥伴關係，SK hynix將鞏固其作為整體AI記憶體提供商的地位。

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