美光最新的UFS 4.0儲存尺寸僅為9x13mm,是該公司設計的最小記憶體晶片,更令人印象深刻的是尺寸的減小並沒有影響其順序讀寫效能。
小型UFS 4.0封裝由美光科技位於美國、中國和韓國的聯合客戶實驗室開發,採用其232層3D NAND技術。縮小晶片尺寸的原因是美光收到了多家未具名智慧型手機製造商的回饋,因為小巧的外形尺寸將使這些公司能夠裝入更大的電池。
蘋果很可能不是這些合作夥伴之一,因為該公司在其iPhone和其他產品中使用NVMe儲存,而不是UFS 4.0。美光先前於去年6月推出了11mmx13mm封裝,在最新版本中,該儲存製造商已將尺寸縮小了20%。幸運的是如上所述順序讀取和寫入速度分別為4,300MB/s和4,000MB/s,比NVMe Gen 4標準稍慢,但這些並不是降級。
除了尺寸較小之外,美光的UFS 4.0記憶體晶片的功耗也更低,該公司表示面積的改變可以使效率提高高達25%。儲存中還包含其他模式,美光科技總結如下。
- 高效能模式 (HPM):此專有功能可透過將關鍵任務優先於後台任務來優化智慧型手機密集使用期間的效能。由於在大量使用期間儲存存取速度提高了一倍,因此啟動多個應用程式時的速度提高了25%以上。
- 一鍵刷新 (OBR):OBR透過自動清理和優化數據,讓消費者能夠更長時間地從設備中獲得最佳性能,從而使智慧型手機能夠繼續以全新狀態運行。用戶將受益於更快的讀取/寫入效能,從而使應用程式啟動速度提高10%、並能快速的相機膠卷存取和無縫的多任務。
- 分區 UFS (ZUFS):美光UFS 4.0現在允許主機指定可以儲存資料的不同區域,從而隨著時間的推移提高設備的實用性。這種ZUFS方法減少了寫入放大,以最大限度地提高設備可以編程和擦除的有限資料週期,而不會降低設備性能,最終延長智慧型手機的使用壽命,同時使設備長時間保持如新狀態。
美光表示其最新的UFS 4.0儲存晶片將提供256GB、512GB和1TB三種容量。這些樣品已經運送給該公司的合作夥伴,我們很可能會在即將推出的高階智慧型手機中見證這項技術。
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