ASML明年生產10台高NA EUV微影機：Intel獨吞6台

集邦諮詢的報告顯示ASML將在2024年生產最多10台新一代高NA(數值孔徑) EUV極紫外光刻機，其中Intel就定了多達6台。同時三星星也在積極角逐新光刻機，台積電感覺壓力巨大。

NA數值孔徑是光刻機光學系統的重要指標，直接決定了光刻的實際解析度，以及最高能達到的製程。金屬間距縮小到30nm以下之後，也就是對應的製程超越5nm，低NA光刻機的解析度就不夠了，只能使用EUV雙重曝光和/或曝光成形(pattern shaping)技術來輔助，不但會大幅增加成本，還會降低良品率。因此更高的NA成為必需。

ASML 9月曾宣布將在今年底發貨第一台高NA EUV光刻機，型號Twinscan EXE:5000，從0.33做到0.55，光刻解析度縮小到8nm，可製造2nm乃至更先進的晶片。ASML並未公佈第一台高NA EUV微影機的客戶，但業界普遍認為正是Intel。

Intel最初就計劃利用新光刻機投產Intel 18A製程，但因為等不及，只能改用現有的0.33 NA NXE:3600D/3800E疊加雙重曝光。ASML明年量產的高NA EUV微影機，將是改良型的Twinscan EXE:5200，支援大規模量產。未來ASML將把年產量進一步提高到20台左右。

這種新光刻機的成本和價格並沒有公開，猜測至少3億美元，甚至可能達到或超過4億美元。目前的低NA EUV光刻機需要2億美元左右。

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