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作者: sxs112.tw
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    [業界新聞] (PR)Intel位於愛爾蘭的新工廠開始大量生產Intel 4製程技術

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    sxs112.tw 發表於 2023-10-2 19:55:55 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    Intel今天慶祝其採用極紫外線 (EUV) 技術的Intel 4製程技術的到來,也是歐洲首次在大批量製造 (HVM) 中使用EUV。這一重要時刻的到來,為諸如Intel即將推出的Intel Core Ultra處理器(代號為Meteor Lake)等產品開啟了未來,該處理器將為人工智慧PC鋪平道路,以及將於2024年推出並生產的下一代Intel Xeon處理器。在Intel 3製程上。
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    Intel 4生產中採用的​​EUV技術廣泛應用於領先的半導體技術製程,為最苛刻的計算應用提供支援,例如人工智慧 (AI)、先進的行動網路、自動駕駛以及新的資料中心和雲端應用。EUV在推動Intel實現四年內交付五個製程並在2025年重新獲得製程技術領先地位的目標方面發揮關鍵作用。
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    Intel執行長Pat Gelsinger表示我為Intel團隊以及我們的客戶、供應商和合作夥伴感到自豪,他們與我們共同努力,實現了這一時刻,並使我們重回流程領先地位。矽島一直是我們長期戰略的核心,今天Fab 34的開業有助於實現歐盟創建更具彈性和可持續的半導體供應鏈的目標。

    更具永續性、彈性和安全的全球供應鏈
    Fab 34位於愛爾蘭萊克斯利普的開業,加上Intel計劃在德國馬格德堡建設的晶圓製造工廠以及計劃在波蘭弗羅茨瓦夫建設的組裝和測試工廠,將有助於打造同類首個點對點領先的晶圓廠-歐洲邊緣半導體製造價值鏈。作為人工智慧、電信、資料中心、汽車等尖端技術產業的所在地,歐洲需要一個有彈性的領先半導體供應鏈。Intel致力於幫助歐洲實現其技術雄心,進而建立一個有彈性和地理平衡的全球半導體供應鏈。

    Intel執行副總裁兼首席全球營運長Keyvan Esfarjani表示Intel的愛爾蘭業務是我們全球製造足跡的基石,也是在歐洲建立點到點半導體製造價值鏈的重要組成部分。隨著我們繼續推進170億歐元的投資,這標誌著我們愛爾蘭業務的一個重要里程碑和勝利,因為它將利用EUV的Intel最新、最出色的Intel 4製程技術帶到了 Fab 34。

    Intel執行副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士表示這對Intel和整個半導體產業來說都是一個里程碑。Intel 4製程技術在愛爾蘭的大規模生產是一次重大的突破。這是朝著實現歐洲領先製造邁出的一大步,對於我們俄勒岡州的技術開發團隊來說也是一個重要時刻。
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    採用Intel 4製程技術的製程開發和早期HVM(與早期技術相比,該技術在性能、功效和電晶體管密度方面實現了顯著改進)是在位於俄勒岡州的Intel開發工廠進行的。

    Fab 34的開業標誌著英特爾和愛爾蘭團隊又一個歷史性的一天。自1989年抵達這裡以來,Intel一直是我們國家工業發展的支柱,今天該公司再次展示了其領先的承諾——來自愛爾蘭的尖端技術。」愛爾蘭總理Leo Varadka 說這一里程碑發生在該行業的關鍵時刻,因為歐洲正在為增加其半導體產能做好準備。我們期待愛爾蘭在實現該地區的雄心壯誌中發揮作用。

    Intel雄心勃勃的環保承諾:永續發展之路
    Intel致力於擴大其業務,同時最大限度地減少對環境的影響。今天該公司發布了愛爾蘭氣候行動計劃,其中詳細介紹了減少溫室氣體 (GHG) 排放、能源使用、水使用和垃圾掩埋的努力。

    Leixlip的Fab 34預計將獲得LEED金級認證。新設施融合了多項設計創新,以提高永續性。例如建築物將使用熱回收產生的熱量與傳統方法產生的熱量的9比1的比例,並且由於整合了回收成分,施工過程中使用的大部分水泥都具有低碳特徵。

    萊克斯利普園區繼續實施100%再生能源供應的購電策略,將88%的水返回利菲河,並於2022年將0.6%的廢棄物送往垃圾掩埋場。這些努力支援Intel的企業目標,即到2030年在其全球營運中實現100%使用再生電力、淨水和零廢棄物填埋;到2040年全球營運部門實現溫室氣體淨零排放;到2050年上游溫室氣體淨排放量為零。

    延續社區夥伴關係的光榮傳統
    30多年來Intel一直將北基爾代爾萊克斯利普鎮視為其在愛爾蘭的總部。萊克斯利普校區的持續發展只有透過當地社區的持續支持和密切合作才有可能實現。伴隨著 Fab 34工廠的正式開業,Intel今天宣布將向Leixlip社區捐贈100萬歐元,以資助社區計畫。

    消息來源
    2#
    clouse 發表於 2023-10-2 21:11:19 | 只看該作者
    Intel 4=7nm製程
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