三星公開下一代晶片的背面供電技術，加入與Intel的競爭

三星為其未來的晶片採用了背面供電方法，與傳統製程相比有了顯著改進。

三星電子在日本舉行的VLSI研討會上發表文章，披露了新的BSPDN（背面供電網路）方法的指標。對於那些現在一無所知的人來說，制定電力傳輸網路的目的是最有效地為晶片提供電壓。從形式上來說製造商採用了透過晶圓正面的傳輸方式，雖然這種方法可以完成工作，但它會帶來功率密度下降的代價，最終導致性能下降。

新的BSPDN方法尚未被代工廠採用，三星是第一個披露該創新方法結果的公司。據韓國龍頭稱與傳統方法相比，他們減少了14.8%的面積。面積的減少使公司有更多的空間在晶片中添加更多好東西，例如電晶體管，從而整體提高性能。

三星還報告稱電線長度減少了 9.2%，雖然我們不會深入探討其物理原理，但總而言之長度減少會導致電阻降低，允許更大的電流流過，從而將沿線的功率損耗降至最低。具有改進的電力傳輸。

三星並不是第一家公開BSPDN方法的公司，早在6月份Intel也曾舉辦過該方法的發布會並將其命名為PowerVia。Intel宣布計劃將新方法整合到其Intel 20A製程中，晶片利用率達到90%。該公司表示PowerVia將解決矽架構中互連的瓶頸問題，透過晶圓背面提供電力，從而實現連續傳輸。Intel預計將在即將於2024年推出的Arrow Lake CPU中使用這種新方法。

三星尚未透露新的電力傳輸方法是否會整合到未來的製程中。然而根據該公司目前披露的訊息，我們認為在Intel實施後不久，三星的下一代製程可能會採用該技術。

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