ASML宣布與比利時微電子研究中心合作加速推進新一代光刻機

比利時微電子研究中心(IMEC) 與ASML共同宣布雙方將在開發先進高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻試驗線的下一階段加強合作。按照ASML的說法，2025年開始客戶就能從數值孔徑為0.33傳統EUV多重圖案化，切換到數值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低製程成本，提高產量。

Fouquet表示EUV光源輸出功率一直穩步增加，ASML傳統型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現在研究層面已做到600W，800W指日可待。到2030年使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產量，並降低製程成本，需要更高數值孔徑的EUV曝光（NA=0.75）。

DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術形成圖案的每個電晶體管成本都不斷變化，考量到新技術價格一定高於EUV每套3億美元，High-NA EUV價格將非常可觀，但仍取決於客戶要求和開發成本。在這之前光刻機大廠ASML對外表示半導體業只有通力合作，建立完全自主的產業鏈，即使並非不可能也會極其困難。

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