Intel在ITF World上推出全新堆疊式CFET電晶體管設計

Intel技術開發總經理Ann Kelleher在比利時普舉行的ITF World 2023上概述了該公司在幾個關鍵領域的最新進展。一個特別令人興奮的發現是Intel未來對堆疊式 CFET電晶體管的使用。此次展示標誌著Intel首次公開介紹這種新型電晶體管。但是Kelleher沒有提供有關生產日期或設定時間範圍的任何具體訊息。

資料顯示了圍繞新電晶體管類型的一個轉變。資料底部的兩種電晶體管類型是較舊的版本，而2024代表Intel的新RibbonFET電晶體管。我們之前曾詳細報導過這些電晶體管，Intel的第一代設計，製程為Intel 20A，由四個堆疊的納米片組成，每個納米片都被一個門完全包圍。根據Kelleher的說法這種設計預計將於2024年投放市場。RibbonFET採用環柵 (GAA) 設計，可實現更高的電晶體管密度和性能改進。與多個鰭片相比，它可以在相同的驅動電流下更快地切換電晶體管，但面積更小。

Kelleher的演講還曝光了下一代Intel GAA設計——堆疊式CFET。互補式場效電晶體（Complementary FET；CFET）設計已在imec的路線圖中曝光了一段時間，但我們尚未在Intel資料上看到它或聽說公司計劃使用它。

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