(PR)三星開始12nm DDR5 16Gb DRAM量產：高達7200Mbps和功耗降低多達23%

三星已開始量產其全新的16Gb DDR5 DRAM，該記憶體將採用12nm製程。

新聞稿：先進記憶體技術的全球領導者三星電子今天宣布其採用業界最先進的12納米 (nm) 級製程技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星完成了最先進的製程，再次證明了其在尖端DRAM技術方面的領導地位。

與上一代產品相比，三星全新的12nm級DDR5 DRAM可將功耗降低多達23%，同時將晶圓產能提高多達 20%。其出色的能效使其成為希望降低其伺服器和數據中心的能源消耗和碳足蹟的全球IT公司的理想解決方案。

由於使用了有助於增加電池電容的新型高 κ 材料，三星得以開發12nm級製程技術。高電容導致數據訊號中存在顯著的電勢差，這使得更容易準確地區分它們。該公司在降低工作電壓和降低噪音方面所做的努力也有助於提供客戶需要的最佳解決方案。

擁有每秒7200Mbps的最高速度——轉化為可以在大約一秒鐘內處理兩部30GB超高畫質電影的速度——三星的12nm級DDR5 DRAM系列將支援越來越多的應用，包括數據中心、人工智慧和下一代計算。

三星繼續與全球IT公司合作，推動下一代DRAM市場的創新。三星的16-Gigabit DDR5 DRAM於去年12月完成了與AMD的相容性評估，併計劃於2023年下半年開始量產。

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