(PR)SK hynix率先推出12層HBM3記憶體，每個堆棧容量為24GB，開始向客戶提供樣品

SK hynix宣布推出全球首款12層HBM3記憶體，與上一代產品相比，每層記憶體容量增加至24GB。

據SK hynix稱與之前提供16GB容量的8層HBM3堆棧相比，12層HBM3堆棧的容量提高了50%。儘管尚未宣布使用該記憶體的新產品，但NVIDIA和AMD很可能會在今年晚些時候使用新記憶以設計更新其現有的Hopper和Instinct產品，並提供更高容量。

新聞稿：SK hynix公司（www.skhynix.com）今天宣布它已成為業界第一個開發有24GB容量的12層HBM3產品的公司，客戶正對樣品的性能評估正在進行中。SK hynix工程師透過將先進的大批量回流成型底部填充 (MR-MUF)* 技術應用於最新產品，提高了製程效率和性能穩定性，而矽通孔 (TSV)** 技術將單個DRAM晶片的厚度減少了 40%，達到與16GB產品相同的堆棧高度水平。

HBM於2013年由SK hynix首次開發，因其在實現在高性能計算 (HPC) 系統中執行的生成AI中發揮的關鍵作用而引起了儲存晶片行業的廣泛關注。特別是最新的 HBM3標準被認為是快速處理大量數據的最佳產品，因此全球主要科技公司對它的採用正在增加。SK hynix已向多家客戶提供了其24GB HBM3產品的樣品，客戶對最新產品寄予厚望，同時產品的性能評估正在進行中。

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