三星開始量產3nm GAA晶片，功率效率提高45%，性能提高23%，第二代型號也在開發中

三星領先台積電並宣布量產3nm GAA晶片，為各種應用和產品帶來一系列好處。據這家韓國製造商稱GAA技術超越了FinFET的極限，併計劃擴大智慧手機SoC的生產。

三星電子總裁兼代工業務負責人Siyoung Choi博士自豪地宣布了新架構，並發表了以下聲明。

隨著我們繼續展示在將下一代技術應用於製造方面的領先地位，例如代工行業的第一個高K金屬柵極、FinFET以及EUV。我們尋求透過世界上第一個採用MBCFET的 3nm製程來繼續保持這種領先地位。我們將繼續在擁有競爭力的技術開發方面進行積極創新，並建立有助於加速實現技術成熟的流程。

三星採用了不同的方法來量產3nm GAA晶片，其中包括使用專有技術和擁有更寬通道的奈米片。與使用有更窄通道的奈米線的GAA技術相比，這種方法可以實現更高的性能和更高的能源效率。GAA優化了設計靈活性，使三星能夠帶來 PPA（功率、性能和面積）優勢。與5nm相比三星聲稱其3nm GAA技術可以降低高達45%的功耗，提高23%的性能並減少16%的面積。有趣的是三星並未提及與4nm相比的改進差異，儘管新聞稿確實表示正在研究第二代3nm GAA製程。

這種第二代製程將使功耗降低多達50%，性能提高30%，面積減少35%。三星沒有評論3nm GAA的良率，但根據之前報導的情況，情況並沒有改善，反而出現了急劇下降。顯然良率在10%到20%之間，而三星的4nm為35%。

據說高通已經對三星的3nm GAA製程進行了預訂 ，假設台積電在其3nm方面遇到了自己的良率問題。這家韓國製造商可能會向高通提供其尖端技術，如果高通滿意，我們可能會看到未來Snapdragon晶片組的訂單從台積電轉移到三星。

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良率推測50%以下