功耗降低50% 三星3nm晶片全球首秀：搶先台積電量產

三星之前製定計劃在2030年成為全球最先進的半導體製造公司之一，3nm是他們的一個殺手鐧，之前一直被良率不行等負面傳聞困擾，日前三星公司終於亮出首個3nm晶圓，按計劃將在今年Q2量產，比台積電還要早一些。

日前美國總統參觀了三星位於平澤市附近的工廠，這裡是目前全球唯一一個可以量產3nm的晶圓廠，三星首次公開了3nm製造的12吋晶圓，不過具體是哪款晶片還不得而知。

不過對三星來說，3nm是他們押注晶片製程趕超台積電的關鍵，因為台積電的3nm不會上下一代的GAA電晶體技術，三星的3nm就會啟用GAA技術，這是一種新型的環繞柵極電晶體，透過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。

根據三星的說法與7nm相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數上來說卻是要優於台積電3nm FinFET。根據三星之前的表態3nm將在2022年Q2量產，這個進度相比台積電的3nm還要激進，後者今年下半年也只能小規模試產，明年才會大規模量產3nm。

消息來源

呵呵~
8Gen1  vs. 8Gen1 plus 晶片門才剛燒起.

這麼快就要端出 3nm 啊~