Intel 與 ASML 攜手強化合作關係驅動 High-NA 高數值孔徑於 2025 年進入生產階段

Intel 向 ASML 購買首台 TWINSCAN EXE:5200 系統，於導入 EUV 0.55 NA（High-NA、高數值孔徑）製程跨出重要的一步。

為推進尖端半導體微影技術發展，ASML 和 Intel 於今日宣布其長遠合作的最新階段發展。Intel 向 ASML 購買的 TWINSCAN EXE:5200 系統，具備 High-NA 的極紫外光（EUV）大量生產系統，每小時具備 200 片以上晶圓產能。

Martin van den Brink，ASML總裁暨技術長提到：「英特爾的遠見和對ASML High-NA EUV的早期承諾，為其不斷追求摩爾定律的絕佳佐證。相較於目前的 EUV系統，我們持續創新拓展EUV路線圖，進一步降低複雜性、成本、週期時間和所需能量，提供驅動晶片產業下個10年所需要的良好經濟規模延展性。」

Intel 在去年 7 月 Accelarated 活動中宣布，其部署首款 High-NA 技術的計畫，藉以確立電晶體創新路線圖發展。Intel 更早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系統的首位買家，透過今日所宣布的新訂購案，其合作關係將隨著 Intel 於 2025 年開始以高數值孔徑 EUV 進行生產製造而延續下去。

Ann Kelleher博士，英特爾執行副總裁暨技術開發事業部總經理提到「英特爾的重點就是保持半導體微影技術的領先地位，去年我們持續不斷地打造我們的EUV專業知識和能力。透過與ASML的密切合作，我們將汲取High-NA EUV的高階析度圖案化優勢，作為延續摩爾定律的其中一個方式，並將我們追尋電晶體微縮的優良傳統延續下去。」

EXE 平台為 EUV 技術的演化步驟，其包含新穎的光學設計與大幅提升速度的光罩與晶圓階段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系統與之前 EUV 機器所具備的 0.33 數值孔徑鏡片相比，提供精確度提升的 0.55 數值孔徑，為更小的電晶體特徵提供更高的解析度圖案化。系統所具備的數值孔徑結合其使用波長，決定了最小能夠印製的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA 為 2025 年開始的多個未來節點所設計，同時也是業界首次部署該技術，隨之而來的將是具備相近密度的記憶體技術。在 2021 年的投資者關係日，ASML 分享其 EUV 路線圖規劃，並表示 High-NA 技術有望自 2025 開始支援生產製造。今日聲明與此路線圖規劃一致。

source: intel.com