IMEC公佈未來技術藍圖，半導體10年內進入Å時代

當前量產的電晶體已經進入4nm尺度，3nm研發也已經凍結進入試產。在11月於日本舉辦的線上ITF大會上，半導體行業大腦IMEC（比利時微電子研究中心）公佈了未來十年的技術藍圖。據悉2025年後電晶體微縮化進入埃米尺度（Å，angstrom，1埃 = 0.1nm），時間的規劃是2025年A14（14Å=1.4nm）、2027年為A10（10Å=1nm）、2029年為A7（7Å＝0.7nm）。

微觀電晶體結構層面，imec試圖在14Å將使用Forksheet結構（p型和n型納米片電晶體成對排列，類似於用餐的叉子），10Å試圖採用CEFT結構，10Å以下計畫採用原子形狀的溝道，依賴Mo（鉬）、W（鎢）、X為硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高數值孔徑）EUV光刻機來實現。

說到High NA EUV光刻機（0.55NA），一號原型機（EXE:5000）將在2023年由ASML提供給IMEC的聯合實驗室，2026年量產，從而服務1nm及更先進的製程。

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