SK Hynix宣布開發HBM3 DRAM：最高24GB的容量、12-Hi堆棧和819GB/s的頻寬

SK Hynix宣布已成為業界首家開發下一代高頻寬記憶體標準HBM3的公司。

據SK Hynix稱該公司已成功開發出HBM3 DRAM，標誌著下一代高頻寬記憶體產品。新的記憶體標準不僅可以提高頻寬，還可以透過垂直堆疊多個DRAM來增加 DRAM容量。

SK Hynix從去年7月開始量產HBM2E開始開發HBM3 DRAM。該公司今天宣布其HBM3 DRAM將提供兩種容量，一種是24GB版本，這將是特定DRAM的行業最大容量，另一種是16GB版本。24GB版本將採用由2GB DRAM組成的12-Hi堆棧，而16GB版本將使用8-Hi堆棧。該公司還提到DRAM的高度已經縮小到30微米（μm，10 -6 m）。

至於性能，SK Hynix HBM3 DRAM預計每個堆棧可提供819GB/s的頻寬。這比提供460GB/s頻寬的SK Hynix HBM2E DRAM提高了78%。像NVIDIA A100這樣擁有6個HBM2E堆棧的GPU將能夠提供高達5TB/s的頻寬，而目前使用現有DRAM標準提供的頻寬為2.0TB/s。使用24GB DRAM的記憶體容量理論上也應可達到120GB（6個晶片中有啟用5個）和144GB（啟用整個晶片堆棧）。NVIDIA的Ampere (Ampere Next) 和CDNA 2 (CDNA 3) 的繼任者很可能會率先使用 HBM3標準。

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