IME突破四層3D堆疊技術， 未來晶片或許就像三明治一樣

隨著半導體製程技術的研發愈加困難，想突破更先進的製程變得相當不容易。且不說Intel在14nm製程徘徊了很久，想進入10nm以下估計也要費不少周折，即便處於領先地位的台積電（TSMC），近期也傳出3nm製程延期的消息，至於台積電身後的追隨者三星，似乎也不是特別順利。

既然製程技術提升受阻，或者要換個方式來提高未來晶片的性能了，也許3D堆疊技術是一種選擇。據TomsHardware報導Institute of Microeletronics（IME）的研究人員剛剛實現了一項技術突破，實現了多達四個半導體層的堆疊。與傳統的二維製造技術相比，可以節省50%的成本，該技術可能會用於未來的CPU和GPU上，或許真正的新一代3D晶片堆疊就在眼前。

相比此前台積電和AMD的SRAM堆疊技術，IME的這項新技術更進一步。在AMD展示採用3D堆疊技術的Ryzen9 5900X處理器的原型設計裡，採用台積電無損晶片堆疊技術的產品只有兩層，第一層是Zen3架構的CCX，第二層是96MB的SRAM快取。IME的研究人員則展示了另外一種製程，透過TSV（矽通孔技術）成功粘合了四個獨立的矽層，允許不同模具之間通訊。

這樣的技術帶來的好處是顯而易見的，可以允許晶片由不同製程的零件在不同晶圓中製造，在近期Intel的演講中可以感覺到，新晶片的設計上已經往這方面的思路發展了。這樣的堆疊當然也會帶來其他的問題，就如許多人所想的那樣，雖然晶片效率提高了，但要面對散熱問題，所以會看到許多奇特的、直接用在晶片上的散熱技術開始浮現。

消息來源

沒量產的, 疊 8層也無感.   投投期刊論文還可以.

現實世界裡, 還未真的有一顆 3D IC 出現.

最接近的就是 AMD 這顆擺出來讓看一下, 說幾個月後見.
還是 GG 生產的.  i社  SS 不服氣, 也可以推出啊!