三星開發了512GB容量的DDR5記憶體模組-採用HKMG製程和最高7200Mb/s的速度

三星宣布開發出業界首個DDR5記憶體模組，該模組擁有512GB的驚人容量。記憶體模組適合針對AI/ML，超級計算，分析，網路和其他數據密集型工作負載來做使用。

三星表示512GB DDR5記憶體模組將擴展其現有產品組合，以提供有史以來最密集的容量。記憶體將採用HKMG(High-K Metal Gate)製程，三星也將其用於生產GDDR6 VRAM模組。該製程允許記憶體模組降低13％的功率，並且還減少了功率洩漏。

在規格方面，三星512GB DDR5的性能是DDR4的兩倍，速度高達7200Mb/s。該記憶體共有40個DRAM晶片，每個DRAM晶片擁有八層16Gb DRAM，這些模組堆疊在一起並採用TSV（Through-Silicon-Via）相連。

三星聲明他們目前正在推出其DDR5的不同版本，但未提供任何發布日期。我們可以預計，隨著Intel和AMD的DDR5平台開始進入市場，三星將在今年年底推出該產品，而且我們也可以預期這種容量的記憶體的價格會非常高。

消息來源