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作者: sxs112.tw
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    [儲存裝置] Intel全球首發144層QLC SSD 最大30.72TB、壽命媲美TLC

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    1#
    sxs112.tw 發表於 2020-12-17 00:05:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    今天舉辦的2020記憶體儲存日活動上,Intel一口氣發布了六款全新的記憶體、儲存新產品,首先來看針對數據中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316,同時全球首發144層堆疊的QLC NAND,都支援PCIe 4.0。Intel雖然已經將NAND業務和工廠賣給SK Hynix,但是交易並未完成,Intel既有路線圖也會繼續執行,同時交易也不涉及Optane技術和產品,Intel會持續推進。
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    2016年Intel推出了第一代32層堆疊TLC,次年翻倍到64層,儲存密度提高了133%,2019年來到96層,密度提高約50%,而如今的144層再次將儲存密度提高了約50%。僅僅5年的時間Intel就將儲存密度增加了超過4倍,單位成本自然也是成倍降低。
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    雖然很多人對QLC不屑一顧(就像當初對TLC),不過Intel強調,如今的QLC已經在平均故障間隔時間、平均溫度、保固壽命、不可修復錯誤率(UBER)、數據持久性等質量與可靠性指標上看齊TLC,並且相容同樣的整ˇ和電路設計,大大簡化升級換代。而最新的144層堆疊對比兩年前的64層堆疊,可靠性、最大寫入量已經提升4倍,讀取負載QoS提升最多50%,底層寫入性能提升最多40%。

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    回到產品層面,SSD D7-P5510主要針對雲端儲存應用,採用15m 2.5吋U.2形態,容量3.84TB、7.68TB,持續讀寫性能最高7000MB/s、4194MB/s,比上代(D7-P4510 )提升118%、35%,4K隨機讀寫性能最高930K IOPS、190K IOPS,比上代提升45%、41%,混合隨機讀寫性能400K IOPS,比上代提升50%,讀寫延遲86us、16us,比上代提升14%。
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    另外它支援每天一次全碟寫入(上代0.85次),而且特別值得一提的是,TRIM恢復時間從超過30秒縮短到不足0.1秒,也就是暫停讀寫的幾乎一瞬間,就能恢復滿血狀態。技術特性方面支持改進的健康監控與管理、動態多重命名空間、針對雲端負載優化的新算法、點到點數據保護、意外掉電保護、企業級安全等。


    SSD D5-P5316則有U.2 15mm、E1.L兩種形態,後者最大容量可達驚人的30.72TB,主要針對熱儲存而優化。
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    它的持續讀取性能最高為6.8GB/s,比上代(D5-P4326)提升2倍多,4K隨機讀取最高800K IOPS,比上代提升38%,但未公佈寫入性能。壽命方面支援3000次編程/擦寫循環,30.72TB型號的終身最大寫入量為18940TB,是上代的4倍多。利用該SSD,數據中心廠商可以在1U伺服器內實現405TB(U.2)或者1PB(E1.L)的總儲存容量,從而大大降低TCO成本。
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    Intel SSD D7-P5510將在本季出貨,SSD D5-P5316明年上半年出貨,價格均未公開。
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    消息來源

    2#
    clouse 發表於 2020-12-17 09:35:48 | 只看該作者
    qlc爛就是爛物理法則無法改變別在那邊唬爛媲美TLC
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