SK hynix推出業界最多層的176層堆疊NAND Flash快閃記憶體

根據南韓媒體 《ETnews》 的報導，緊追的美商記憶體廠美光科技 (Micron) 之後，南韓記憶體廠SK hynix也在 7 日正式發表176層堆疊的 512 Gb TLC 4D NAND Flash快閃記憶體，也代表著 176層堆疊NAND Flash快閃記憶體時代來臨。

報導指出SK hynix說明新的176層堆疊NAND Flash快閃記憶體是採用加速技術，使得數據傳輸速度提高了33%，達到1.6 Gbps。而預計到 2021 年年中SK hynix將推出最大讀取速度提高70%、最大寫入速度提高 35%的行動解決方案產品，並計畫推出針對消市場和企業市場的SSD產品，進而擴大相關產品的應用市場。

由於在不久前的 11 月初，美商Micron已經宣佈開始大量出貨全球首款 176層堆疊的3D NAND Flash 快閃記憶體。所以面對競爭對手的來勢洶洶，報導強調SK hynix還計畫開發以176層堆疊4D NAND Flash的1Tb 密度的快閃記憶體，進一步持續強化其在 NAND Flash快閃記憶體的業務競爭力。

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