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作者: sxs112.tw
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    [儲存裝置] Intel規劃Floating Gate結構型3D PLC:明年把QLC堆到144層

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    1#
    sxs112.tw 發表於 2019-9-26 11:55:27 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    從SLC、MLC、TLC到QLC,SSD的價格被拉下神壇,同時容量密度也大幅提升。儘管QLC顆粒的SSD在市場上仍不算多見,可儲存龍頭們已經開始探討PLC(5bit/cell)的前景了。在介紹活動中Intel透露,其3D PLC將仍舊堅守使用浮柵型結構(Floating Gate),儘管當前3D的主流結構是Charge Trap電荷捕獲型,但Intel指出浮柵型結構(Floating Gate)在讀取干擾、數據保持期上更優秀。
    c349fdbe39d147369522c3928bb41c61.jpg

    有路邊消息稱Intel和Micron之所以在SSD上分手,原因是Micron決定放棄浮柵轉向電荷捕獲,加入三星、Toshiba、SK海力士等大軍。三星曾強調,電荷捕獲相較浮柵技術,可以有效提升快閃記憶體的耐久度。
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    另外Intel表示,今年將推出96層QLC產品,明年將首秀業內首款144層QLC固態硬碟,用於數據中心。

    消息來源
    2#
    as2003qq 發表於 2019-9-26 12:59:27 | 只看該作者
    我已經在用64QLC 了
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