Micron量產第三代10nm等級記憶體：首發1Znm製程16Gb DDR4

日前Micron宣布量產了1Znm製程的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm等級記憶體製程，這次量產也讓Micron成為業界第一個量產1Znm製程的公司，這一次進度比以往的標竿三星公司還要快。

在記憶體製程進入20nm之後，由於製造難度越來越高，記憶體晶片公司對製程的定義已經不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm相當於16-19nm、1Ynm相當於14-16nm，1Znm相當於12-14nm。

根據Micron之前公佈的路線圖，實際上1Znm之後還會有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm就有六種製程了，現在正好演進到了第三代。Micron表示與上一代1Ynm製程相比，1Znm 16Gb DDR4記憶體晶片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過Micron並沒有給出具體的數據，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數據，唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4記憶體相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗。

此外Micron還宣布批量出貨採用UFS多晶片封裝uMCP的、業界容量最高的16Gb LPDDR4X，滿足了業界對低功耗及更小封裝的的要求。

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