SK Hynix宣布HBM2E記憶體：頻寬最高460GB/s、容量翻倍，單顆16GB

SK Hynix宣布已經成功研發出新一代DRAM“HBM2E”，可視為HBM2的增強版，擁有業界最高的傳輸頻寬，相比現在的HBM2提升了大約50％，同時容量也翻了一倍。

SK Hynix的HBM2E每個針腳傳輸速率為3.6Gbps，搭配1024-bit位元頻寬的話可以提供超過460GB/s的超高頻寬，無可比擬。AMD Radeon VII顯示卡曾經率先實現1TB/s的顯示記憶體頻寬，但應用了4096-bit的記憶體頻寬，如果換成HBM2E總頻寬可以輕鬆超過1.8TB/s。另外同時得益於TSV矽通孔技術，HBM2E可以最多垂直堆疊八顆16Gb，單顆封裝總容量因此可達16GB，是目前的兩倍。

SK Hynix表示，超高頻寬的HBM2E可用於工業4.0、高階GPU顯示卡、超級計算機、機器學習、AI人工智慧等各種尖端領域。而且不同於傳統DRAM必須單獨封裝、佔用主機板面積，HBM可以與GPU晶片、邏輯晶片等整合封裝在一起，彼此距離可以做到僅僅幾個微米，大大節省整體面積，也能保證更快的數據傳輸。

SK Hynix未透露HBM2E何時量產出貨，看樣子還要等一段時間。


消息來源