本月4日起日本宣布管制對韓國出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料,此舉使得韓國面板、半導體兩大支柱行業面臨危機,三星等公司更是急於獲得穩定的原料來源,否則旗下的儲存晶片、面板生產都會停產。
對三星來說日本管制的材料中光刻機、氟化氫影響更大,對三星的晶圓代工、儲存晶片生產都有致命影響,之前甚至有傳聞稱三星因為得不到供應而停止研發7nm EUV製程了。
不過三星似乎有意向外界證明在這場危機中他們有能力走出困境,宣布9月4日在日本舉行的“三星晶圓代工論壇”(SFF)將如期舉行,否認了韓媒所說的三星取消日本論壇會議的報導。三星近年來加大了對晶圓代工市場的投入,每年都會舉行多場“三星晶圓代工論壇”(SFF),9月4日的這次會議是日本專場,這次的重點將是三星研發中的3nm GAA環繞柵極製程,這是5nm製程之後又一個重大製程。
採用全新的GAA晶體管結構,三星通過使用奈米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),該技術可以顯著增強電晶體管性能,主要取代FinFET電晶體管技術。此外MBCFET技術還能相容現有的FinFET製程的技術及設備,從而加速製程開發及生產。
目前在3nm上,三星是第一個也是唯一一個公佈具體技術路線的,Intel現在只提到7nm,5nm都遙遙無期,更別說3nm,而台積電雖然要投資250億美元建設3nm晶圓廠,不過尚未公佈過3nm的技術路線,是否上GAA電晶體管也是未知數。
所以在3nm上,三星自信他們會領先,有分析稱三星3nm GAA在技術上領先了台積電1年時間,領先Intel公司2-3年時間,可以說三星要在3nm上全面反超台積電及Intel公司了。按照規劃三星最快在2021年就要量產3nm GAA了,屆時Intel才會進入7nm量產初始,台積電會量產5nm,試產3nm。
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