SK Hynix開始大規模生產全球首款128層4D NAND

SK Hynix今天宣布已開發並開始批量生產全球首款128層1Tb TLC 4D NAND。

新產品為TLC NAND提供業界最高的1Tb密度。包括SK Hynix在內的多家公司已經開發出1Tb QLC NAND產品，但SK Hynix是第一個將1 Tb TLC NAND商業化的公司。TLC佔NAND市場的85％以上，有出色的性能和可靠性。

小晶片尺寸是公司4D NAND的最大優勢，使SK Hynix能夠實現超高密度NAND。該公司於2018年10月宣布推出創新的4D NAND，它將3D CTF（Charge Trap Flash）設計與PUC（Peri.Under Cell）技術相結合。憑藉相同的4D平台和流程優化，SK Hynix能夠將現有96層NAND上多達32層的製造流程總數減少5％。因此與之前的技術遷移相比，從96層到128層NAND的過渡投資成本降低了60％，顯著提高了投資效率。

與公司的96層4D NAND相比，128層1Tb 4D NAND將每個晶圓的鑽頭生產率提高了40％。SK Hynix將從今年下半年開始發售128層4D NAND，同時繼續推出各種解決方案。憑藉其在單晶片中的四平面架構，該產品在1.2V時實現了1,400 Mbps的數據傳輸速率，實現了高性能和低功耗的行動解決方案和企業級SSD。

SK Hynix計劃於明年上半年為主要的旗艦智慧手機客戶開發下一代UFS 3.1產品。使用128層1Tb NAND，1TB產品所需的NAND數量（目前是智慧手機的最大容量）將比512Gb NAND減少一半; 它將為客戶提供行動解決方案。該公司還打算在明年上半年開始大規模生產帶有內部控制器和軟體的2TB客戶端SSD。用於雲端數據中心的16TB和32TB （NVMe）SSD也將於明年發布。

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