AMD 有望將 3D 堆疊 SRAM 和 DRAM 用於其 CPU 和 GPU

Intel 在去年 12 月的“架構日”活動上公佈了名為“ Foveros ”的全新 3D 封裝技術，該技術首次引入了 3D 堆疊的優勢，可實現在邏輯晶片上堆疊邏輯晶片，當時 Intel 展出使用該技術製造的 Hybrid x86 CPU ，也公佈了一些規格細節。

老對手 AMD 當然也不甘落後， AMD 在最近的活動中透露，他們正致力於在其處理器之上使用 3D 堆疊 DRAM 和 SRAM 的新設計來提高性能。

AMD 高級副總裁 Norrod 最近在 Rice Oil and Gas HPC 會議上發表談話，並透露該公司正在進行自己的 3D 堆疊技術，角度與 Intel 的略有不同。在此之前 AMD 已經將 HBM2 記憶體堆疊在其 GPU 核心旁邊，這意味著它與處理器位於同一個封裝中，但該公司計畫在不久的將來轉向真正的 3D 堆疊。

Norrod 解釋說， AMD 正致力於在 CPU 和 GPU 之上直接堆疊 SRAM 和 DRAM 記憶體，以提供更高的頻寬和性能。

顯然這種創新已經成為必然的選擇，因為摩爾定律已經失效，多年來業界一直在追求提升半導體工藝不斷降低線寬，但是線寬的微縮總是有一個極限的，到了某種程度，就沒有經濟效應，因為難度太大了。

Norrod 在會議中也說到，該行業正在達到積體電路微縮的極限。即使是像 Threadripper 處理器這樣的多晶片設計，由於處理器封裝的尺寸已經非常龐大，也會遇到空間限制的阻礙。

與許多半導體公司一樣， AMD 已經調整了應對這新困難的戰略，同時也步入下一個新的浪潮： 3D 堆疊晶片技術。不過由於熱量和功率輸送限制，該方法也帶來了挑戰。 Norrod 沒有深入探討正在開發的任何設計的具體細節，但這很可能是 AMD 處理器設計的一個歷史性節點。

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