今年的智慧手機除了會升級處理器之外,儲存晶片也會升級到最新標準,行動記憶體LPDDR5標準才被JEDEC組織正式公佈,快閃記憶體也會從UFS 2.0/2.1提升到UFS 3.0,讀寫速度堪比SSD(隨機還不行)。WD公司日前宣布推出新一代iNAND嵌入式快閃記憶體EU511,支援UFS 3.0,最大容量512GB,使用了96層堆棧3D NAND,讀取速度可達750MB/s,是前代的兩倍,如此高速的性能將為未來的5G設備提供更好的體驗。
WD去年底就宣布量產96層堆棧的3D NAND了,這次推出的iNAND EU511嵌入式快閃記憶體也是96層堆棧的,雖然WD官方沒有公佈具體類型,但不太可能是QLC,應該還是3D TLC,因為今年1月底Toshiba也發布了UFS 3.0,就是96層堆棧3D TLC,兩家公司推新一代產品的步驟是差不多的。
WD的EU511支援UFS 3.0 Gear 4/2 Lane規範,而UFS 3.0單通道雙向11.6Gpps,因此雙通道雙向頻寬的理論最高值就是23.2Gbps,大約是2.9GB/s。容量方面,iNAND EU511最低64GB,最高512GB,而且憑藉WD的SmartSLC Generation 6技術使得讀取速度達到了750MB/s,官方表示連續讀取性能是前代的兩倍。
WD iNAND EU511目前已經開始給OEM客戶出樣。
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