三星 7nm EUV 工藝下半年量產， 2021 年推 3nm GAA 工藝

三星前不久發佈的 2018 年 Q4 季度財報指引顯示三星當季盈利會大幅下滑，與去年同期相比減少 9% ，與前期相比減少 38.5% ，而盈利暴跌的主要原因就是三星智慧手機業務低迷，還有最關鍵的儲存晶片降價，這個趨勢會一直持續到今年上半年。

為了彌補儲存晶片降價週期帶來的影響，三星早就開始強化代工業務，試圖越台積電，而這就要跟後者搶先進工藝量產時間了。根據三星高階主管表示，他們今年下半年會量產 7nm EUV 工藝， 2021 年則會量產更先進的 3nm GAA 工藝。

Tomshardware 報導，三星晶圓代工業務市場副總 Ryan Sanghyun Lee 表示三星從2002年以來一直在開發 GAA（ Gate-All-Around ） 技術，通過使用奈米片設備製造出了 MBCFET （ Multi-Bridge-Channel FET ，多橋-通道場效應管 ） ，該技術可以顯著增強電晶體性能。

根據其消息，三星將在 2021 年量產 3nm GAA 工藝。

去年底，三星宣佈將在 2020 年使用 4nm GAA 工藝。業界觀察人士，如 Garner 副總裁 Samuel Wang 對 2022 年之前量產 GAA 技術表示懷疑，不過他現在也說三星看起來可能比預期更早地將 GAA 晶片投入生產。

只不過三星對關於 3nm GAA 工藝何時量產的說法似乎並沒有一個統一的表態，三星晶圓代工業務負責人 Eun Seung Jung 去年 12 月在 IEDM 會議上表示三星已經完成了 3nm 工藝技術的性能驗證，並且在進一步完善該工藝，目標是在 2020 年大規模量產。

不過，無論 3nm GAA 工藝是在 2020 年還是 2021 年量產，離現在都還有點遠，三星今年主推的是 7nm EUV 工藝，預計今年下半年量產—儘管三星去年就宣佈 7nm EUV 工藝能夠量產，然實際上之前所說的量產只是風險試產，遠沒有達到規模量產的程度，今年底量產才是有可能的。

然而，之前台積電也宣布將於今年量產 7nm EUV 工藝，看來三星也失去了進度優勢—不過三星在 7nm EUV 工藝上有自己開發的光罩檢查工具，而其他家還沒有類似的商業工具。

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